[发明专利]控制应变半导体层中位错行为的结构和方法无效
| 申请号： | 200710086002.7 | 申请日： | 2007-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101038933A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | S·W·比德尔;D·K·萨达那;A·雷茨尼采克;J·P·德索萨;K·W·施瓦茨 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/78;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于控制应变半导体层中位错行为的结构和方法，引入缓变合金区域以提供应变梯度，从而改变位错在接近MOSFET的源极和漏极的半导体层中向上传播或滑移的斜率或曲率。应变半导体层的上表面可以是粗糙的和/或包含构图的介质层或硅化物，从而在选定的表面区域内捕获位错的上端。本发明解决了位错段同时经过MOSFET的源极和漏极时产生泄漏电流或两者间短路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 应变 半导体 层中位错 行为 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制位错行为的结构，包括：弛豫单晶半导体材料的衬底；应变外延半导体层，在所述衬底上形成，具有组分随高度变化的第一合金区域，以在其中提供达到预定高度的应变梯度，所述应变外延半导体层具有位于所述预定高度之上的恒定组分的应变下的第二区域；以及半导体器件，在所述第一区域上的所述第二区域中形成。
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