[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 200710086066.7 | 申请日: | 2007-03-08 |
公开(公告)号: | CN101034660A | 公开(公告)日: | 2007-09-12 |
发明(设计)人: | 粟野宪康 | 申请(专利权)人: | 住友精密工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/677 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种即使基板的搬入时间产生延迟,也能够使作为整体的蚀刻时间一定,可在基板之间进行均匀的蚀刻的基板处理装置。当利用第一检测装置(29a)检测基板K已进入到处理区域(20)内时,将处理液供给至基板K上,进行一次处理,同时,测量从基板K进入至结束搬入为止的经过时间,作为基板搬入时间。另外,从完全搬入基板K开始进行二次处理,在所测量的基板搬入时间为在基准搬入时间内的情况下,以标准的搬送速度搬送基板K,进行二次处理,在基板搬入时间比基准搬入时间长的情况下,计算消除所超过的延迟时间所需的搬送速度,以所计算的搬送速度搬送基板K,进行二次处理。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1、一种基板处理装置,其特征在于,包括:搬送装置,具有多个并排设置的搬送滚子,通过使该搬送滚子绕轴中心旋转,搬送载置在该搬送滚子上的基板;盖体,以至少包围设定在所述搬送装置的搬送路径上的处理区域的方式而进行设置;处理液供给装置,在由所述盖体包围的所述处理区域内,具有配置在所述搬送滚子的上方的至少一个喷嘴,从该喷嘴喷出处理液,将其供给至由所述搬送装置搬送的基板上;第一检测装置,检测所述基板到达在所述基板的搬送方向前端部进入到所述处理区域内的位置上,并且是作为开始对该基板进行一次处理的位置而设定的位置上;第二检测装置,检测所述基板到达在将所述基板完全搬入到所述处理区域内的位置上,并且是作为开始对该基板进行二次处理的位置而设定的位置上;第三检测装置,检测所述基板到达设定在所述处理区域内的搬送方向下游端的二次处理结束位置;和控制装置,其构成为,驱动所述搬送装置,以预先设定的搬入速度向搬送方向下游侧,搬送载置在相比于所述处理区域还位于上游侧的所述搬送滚子上的基板,当利用所述第一检测装置检测到基板搬送方向前端部进入到处理区域内时,使所述处理液供给装置动作,向基板上供给处理液,进行一次处理;接着,在利用所述第二检测装置检测到基板已到达二次处理开始位置时,使所述搬送装置的搬送速度为预先设定的二次处理用的搬送速度,即以预先设定的时间作为二次处理时间,达到在该时间内从所述二次处理开始位置搬送至所述二次处理结束位置的速度,以该速度搬送所述基板;当利用第三检测装置检测到所述基板已到达二次处理结束位置时,使所述搬送装置的搬送速度为预先设定的搬出速度,控制所述搬送装置和处理液供给装置的动作,将所述基板搬出至处理区域的下游侧,其中,所述控制装置构成为进行如下控制,测量从由所述第一检测装置检测到所述基板的时候开始、至随后由所述第二检测装置检测到所述基板为止的经过时间,作为搬入时间,当该搬入时间比预先设定的基准搬入时间长时,计算将所述设定二次处理时间缩短超过时间大小的情况下的所述二次处理用的搬送速度,控制所述搬送装置的动作,以便以所计算出的二次处理用的搬送速度搬送所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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