[发明专利]基板处理装置、基板处理条件研究方法和存储介质有效
| 申请号： | 200710086067.1 | 申请日： | 2007-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101034661A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 横内健;八木文子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在基板处理条件的研究中不耗费时间的基板处理装置。在基板处理装置(10)中，当在对一批量晶片(W)实施RIE处理期间进行方案的研究时，系统控制器的EC(89)作为对一批量晶片(W)实施的RIE处理的方案设定方案A，且使第一处理单元(25)的方案缓冲功能成为无效(步骤S801)，对晶片(W)实施根据方案A的RIE处理(步骤S803)，在方案A作为RIE处理的方案成为合适的情况下(步骤S805中“否”)，根据方案A的修正输入修正方案A，在第一处理单元(25)中展开该所修正的方案A(步骤S808)，对下批晶片(W)实施根据所修正的方案A的RIE处理(步骤S811)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 条件 研究 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：对基板实施处理的基板处理单元、以及在对规定块数的基板实施所述处理期间禁止变更所述处理的处理条件的禁止部，其中，还包括：在所述规定块数基板的处理期间解除禁止变更所述处理条件的解除部，以及修正所述处理条件的修正部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
