[发明专利]半导体存储器件及半导体集成电路系统有效
| 申请号： | 200710086119.5 | 申请日： | 2007-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101030448A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 白滨政则;县泰宏;山本安卫;菊川博仁 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C13/00;G11C16/02;G11C16/06;G11C16/26;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储器件和半导体集成电路系统。在具有电阻变化型存储元件的半导体存储器件中，不需要负电位发生电路，并且缩短数据读出时间。在准备时，电阻变化型存储元件(403)的两端、即位线(BL)和源极线(SL)由位线和源极线的各预充电电路(402)设定为预充电电位Vp。在置位时，位线(BL)由位线写入偏置发生电路(401)设置为比上述预充电电位Vp高的设定电位Vd，源极线(SL)由源极线写入偏置发生电路接地。在复位时，与置位时相反，位线(BL)接地，源极线(SL)被设定为设定电压Vd。在数据读出时，例如将位线(BL)保持为上述预充电电位Vp，由读出偏置电路(405)将源极线(SL)接地。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 集成电路 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：具有第1节点和第2节点的电阻变化型存储元件、连接到上述电阻变化型存储元件的第1节点的列选择线、以及连接到上述电阻变化型存储元件的第2节点的行选择线，其中，上述电阻变化型存储元件，在上述第1节点和第2节点间施加正向和反向的偏置电压，进行数据的置位和复位，该半导体存储器件的特征在于，还包括：预充电单元，在准备时，将上述电阻变化型存储元件的第1节电和第2节点分别预充电到基准电位；偏置施加单元，在数据写入的置位时在上述电阻变化型存储元件的第1节点和第2节点的一个节点施加设定高电位，并且在另一个节点施加设定低电位，在数据写入的复位时在上述电阻变化型存储元件的上述一个节点施加上述设定低电位，并且在上述另一个节点施加上述设定高电位；以及读出单元，在数据读出时，在上述电阻变化型存储元件的第1节点和第2节点施加上述基准电位。
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