[发明专利]用于相变存储器器件的电极和方法有效
| 申请号： | 200710086122.7 | 申请日： | 2007-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101034733A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | K·K·H·黄;D·R·科特;R·W·莫特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于相变存储器器件的存储材料的电极。所述电极包括粘结到存储材料的第一层，所述第一层包括氮化物(ANx)，其中A为钛(Ti)和钨(W)中的一种，而x小于1.0，以及粘结到所述第一层的第二层，所述第二层包括氮化物(ANy)，其中y大于或等于1.0。多层电极允许所述第一层与基于硫族化物的存储材料例如GST的粘结比与例如化合物TiN或WN的粘结更好，它可以防止分层。同时公开了相变存储器器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 器件 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于相变存储器器件的存储材料的电极，所述电极包括：第一层，粘结到与二极管电极相反的存储材料的表面，所述第一层包括氮化物(ANx)，其中A为钛(Ti)和钨(W)中的一种，而x小于1.0；以及第二层，粘结到所述第一层，所述第二层包括氮化物(ANy)，其中y大于或等于1.0。
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