[发明专利]基板处理系统无效
| 申请号： | 200710086183.3 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101034662A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 西村荣一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够防止对基板的背面造成伤害的基板处理系统。基板处理系统(10)包括作为真空系基板搬送装置的传送模块(11)和在该传送模块(11)的周围呈放射状配置的四个加工模块(12～15)，加工模块(12)利用CVD处理在晶片W的背面形成CF类保护膜，加工模块(13)对晶片W实施RIE处理，加工模块(14)利用灰化处理除去形成的晶片W的背面上的保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理系统，其特征在于，包括：对基板实施等离子体蚀刻处理的蚀刻装置、和连接在该蚀刻装置上的真空系基板搬送装置，所述蚀刻装置具有静电吸附所述基板的静电卡盘，该静电卡盘与基板的背面接触，其中，所述基板处理系统还包括：保护膜形成装置，在实施所述等离子体蚀刻处理前的所述基板的背面上形成保护膜；和保护膜除去装置，从实施所述等离子体蚀刻处理后的所述基板的背面除去所述保护膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
