[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200710086231.9 申请日: 2007-03-09
公开(公告)号: CN101034723A 公开(公告)日: 2007-09-12
发明(设计)人: 荒尾达也;山田大干;高桥秀和;楠本直人;西和夫;菅原裕辅;高桥宽畅 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L27/144;H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中,获得一种可靠性高的半导体装置。本发明提供一种半导体装置,其在绝缘表面上包括:第一电极;第二电极;在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片;覆盖所述彩色滤光片的覆盖层;以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层,其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触,并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:遮光层;彩色滤光片;覆盖所述彩色滤光片的覆盖层;以及包括一种导电类型的第一半导体层、第二半导体层及与所述第一半导体层相反的导电类型的第三半导体层的光电转换层,其中,所述遮光层与所述光电转换层的端部和所述彩色滤光片的端部相重叠。
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