[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200710086231.9 | 申请日: | 2007-03-09 |
公开(公告)号: | CN101034723A | 公开(公告)日: | 2007-09-12 |
发明(设计)人: | 荒尾达也;山田大干;高桥秀和;楠本直人;西和夫;菅原裕辅;高桥宽畅 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L27/144;H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中,获得一种可靠性高的半导体装置。本发明提供一种半导体装置,其在绝缘表面上包括:第一电极;第二电极;在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片;覆盖所述彩色滤光片的覆盖层;以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层,其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触,并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:遮光层;彩色滤光片;覆盖所述彩色滤光片的覆盖层;以及包括一种导电类型的第一半导体层、第二半导体层及与所述第一半导体层相反的导电类型的第三半导体层的光电转换层,其中,所述遮光层与所述光电转换层的端部和所述彩色滤光片的端部相重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的