[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200710086297.8 | 申请日： | 2007-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101110447A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 黄坤铭;周学良;朱翁驹;吴成堡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括：第一高压阱区，具有第一导电类型，位于衬底的上方；第二高压阱区，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，位于衬底的上方并侧向相邻于第一高压阱区；第三高压阱区，具有第二导电类型，位于第二高压阱区的下方，其中第三高压阱区的底部大体上低于第一高压阱区的底部；绝缘区，位于第一高压阱区的一部分，并从第一高压阱区的顶层延伸至第一高压阱区内；栅极介电质，从第一高压阱区的上方延伸至第二高压阱区的上方，其中部分栅极介电质位于绝缘区的上方；以及栅极电极，位于栅极介电质的上方。本发明可改善高压N型金属氧化物半导体元件的可靠度，并明显减少扩散至高压N型阱区的P型杂质原子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底；第一高压阱区，具有第一导电类型，位于上述衬底的上方；第二高压阱区，具有与上述第一导电类型相反的第二导电类型，位于上述衬底的上方并侧向相邻于上述第一高压阱区；第三高压阱区，具有上述第二导电类型，位于上述第二高压阱区的下方，其中位于上述第一高压阱区下方的区域大体上远离上述第三高压阱区，且上述第三高压阱区的底部大体上低于上述第一高压阱区的底部；绝缘区，位于上述第一高压阱区的一部分，并从上述第一高压阱区的顶层延伸至上述第一高压阱区内；栅极介电质，从上述第一高压阱区的上方延伸至上述第二高压阱区的上方，其中一部分的上述栅极介电质位于上述绝缘区的上方；以及栅极电极，位于上述栅极介电质的上方。
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