[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200710086371.6 | 申请日： | 2007-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101038873A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 岛山努;龟嶋隆季;冈本正喜 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构。在制造半导体装置的该方法中，如此执行所述第一步骤使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构，其中如此执行所述第一步骤使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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