[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

根据本发明实施例的半导体集成电路器件包括：保护元件，形成在半导体衬底上；以及多个由绝缘层和金属线构成的配线层，绝缘层包括作为低介电常数膜的层，其中在多个配线层中，第二配线层中的金属线和第一配线层中的金属线从半导体衬底之上的另一区延伸到与保护元件电连接的区。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，包括：焊盘；静电保护元件，与所述焊盘电连接；第一线路，与所述焊盘和所述静电保护元件电连接，并在所述焊盘之下的区与所述静电保护元件之上的区之间延伸；第二线路，与所述焊盘和所述静电保护元件电连接，设置在第一线路之上，并在所述焊盘之下的区与所述静电保护元件之上的区之间延伸；以及多个绝缘层，形成在第一线路之下、第一线路与第二线路之间、以及第二线路之上，所述绝缘层中的至少一个含有低介电常数膜。