[发明专利]硅微通道内连续打拿极的制作方法

摘要

硅微通道内连续打拿极的制作方法涉及到的是一种在长径比大于40的硅单晶基体微孔深通道内制作连续打拿极的方法，最终制得微通道板，属于光电成像技术领域。现有采用玻璃骨架制作的微通道板噪声高、分辨率低。本发明采用硅单晶微通道阵列骨架作为微通道板基体，先在硅单晶微通道阵列骨架表面制作SiO₂绝缘层，再在该绝缘层上制作硅结晶导电层，最后将该导电层表层一部分硅热敏化，制作二次电子发射层，完成打拿极的制作。当一次电子能量为50～100eV时，其二次电子发射系数可达到1.25～2.50，电子增益达到10⁴～10⁵，并且，按照上述方法制作连续打拿极的微通道板分辨率得到提高，噪声得到降低。可应用于微光夜视技术领域。

主权项

1、一种硅微通道内连续打拿极的制作方法，其特征在于，采用硅单晶微通道阵列骨架(6)作为微通道板基体，然后，第一步，在硅单晶微通道阵列骨架(6)表面制作SiO2绝缘层(8)；第二步，在所述绝缘层(8)上制作硅结晶导电层(9)；第三步，将所述导电层(9)表层一部分硅热敏化，制作二次电子发射层(10)。