[发明专利]图案化氧化铟锡薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710086796.7 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101145523A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘胜杰;吴子扬;潘昇良;李元榜;林耀辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种图案化氧化铟锡薄膜的方法，该图案化氧化铟锡薄膜的方法至少包括下列步骤：形成一覆盖层于该氧化铟锡薄膜上；以及将该氧化铟锡薄膜的复数个暴露区域暴露在一气相蚀刻剂下，其中该气相蚀刻剂至少包括水。本发明包含形成覆盖层于此氧化铟锡薄膜上，以及将氧化铟锡薄膜的暴露区域暴露在水电浆下，利用水电浆来进行导电且透光的氧化铟锡薄膜的图案化。由于水电浆对氧化铟锡薄膜与上方的覆盖层和下方的介电层或基材之间具有优异的蚀刻选择比，因此经图案化后，可以获得相当优异的氧化铟锡薄膜边缘外型。再者，水电浆方法适用于包含氧化铟锡图案化的许多制程，这些制程包括但并不限于光学微机电系统的制程。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案化氧化铟锡薄膜的方法，其特征在于该图案化氧化铟锡薄膜的方法至少包括下列步骤：形成一覆盖层于该氧化铟锡薄膜上；以及将该氧化铟锡薄膜的复数个暴露区域暴露在一气相蚀刻剂下，其中该气相蚀刻剂至少包括水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710086796.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
