[发明专利]照明装置无效

专利信息
申请号: 200710087324.3 申请日: 2007-03-09
公开(公告)号: CN101034728A 公开(公告)日: 2007-09-12
发明(设计)人: 三瓶友広;川岛净子;齐藤明子;泉昌裕;田村畅宏;岩本正己;塩崎满;野木新治 申请(专利权)人: 东芝照明技术株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 日本东京品*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种可高效地取出白色光并且可减轻光源的颗粒感的照明装置。本发明的照明装置包括:多个半导体发光元件、透光性基板、透光性黏接层、反射构件、透光性密封构件、以及荧光体层。发光元件所使用的是在透光性元件基板的背面叠层有半导体发光层,并从元件基板取出从该发光层所发出的光的发光元件。在透光性基板所具有的引线(导电部)上,连接有发光元件的p侧电极及n侧电极。在透光性基板的背面,通过黏接层而与各发光元件的元件基板的表面黏接。将密封构件设置在透光性基板的背侧,以密封发光元件。利用反射构件而覆盖该密封构件。利用荧光体层而覆盖透光性基板的表面。荧光体层包括将半导体发光层所发出的一次光进行波长转换而发出不同波长的二次光的荧光体。
搜索关键词: 照明 装置
【主权项】:
1.一种照明装置,其特征在于包括:半导体发光元件,该半导体发光元件是在透光性元件基板的背面叠层有包含p型半导体层及n型半导体层的半导体发光层,并且设在上述p型半导体层的p侧电极以及设在上述n型半导体层的n侧电极是配置在上述半导体发光层的与上述元件基板相反面侧,且从上述元件基板取出从上述半导体发光层所发出的光;透光性基板,设置有连接上述p侧电极及n侧电极的导电部;透光性黏接层,将多个上述半导体发光元件的元件基板的表面黏接在该透光性基板的背面;透光性密封构件,密封上述半导体发光元件而设置在上述透光性基板的背侧;反射构件,覆盖上述密封构件而设置着;以及荧光体层,包含荧光体并以覆盖上述透光性基板表面的方式而设置着,上述荧光体将上述半导体发光层所发出的一次光进行波长转换而发出不同波长的二次光。
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