[发明专利]半导体器件中凹陷通道的制造方法无效
| 申请号： | 200710087349.3 | 申请日： | 2007-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101064250A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 郑台愚 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件中凹陷通道的方法，包括：在衬底上形成硬掩模图案，利用硬掩模图案蚀刻衬底以形成第一凹陷，在硬掩模图案和第一凹陷上形成绝缘层，蚀刻绝缘层以在第一凹陷的侧壁上和硬掩模图案的侧壁上形成间隔，利用包含氟化硫的气体混合物蚀刻第一凹陷下的衬底以形成第二凹陷，以及去除硬掩模图案和间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 凹陷 通道 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件中凹陷通道的方法，包括：在衬底上形成硬掩模图案；利用所述硬掩模图案蚀刻衬底以形成第一凹陷；在所述硬掩模图案和所述第一凹陷上形成绝缘层；蚀刻所述绝缘层以在所述第一凹陷的侧壁上和所述硬掩模图案的侧壁上形成间隔；利用含氟化硫的气体混合物蚀刻所述第一凹陷下的衬底以形成第二凹陷；和去除所述硬掩模图案和所述间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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