[发明专利]产生参考电压和读存储单元的方法及实现方法的电路配置无效
| 申请号： | 200710087620.3 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101030445A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | C·李奥;H·霍尼格施米德;M·蒂米特罗瓦;M·安格鲍尔 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C7/06;G11C7/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;王忠忠 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于在电阻性半导体存储器中产生参考电压的方法和电路配置，包括通过将具有不同电压的两条位线连接在一起来产生参考电压。这个产生参考电压的方法可以用于读出半导体存储器中电阻性存储单元阵列的至少一个存储单元的方法和电路配置中。所产生的参考电压以及取决于电阻性存储单元内容的电压被施加到放大器上，以确定存储单元的内容。存储单元的内容根据参考电压和取决于存储单元内容的电压之间的关系而确定。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 参考 电压 存储 单元 方法 实现 电路 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在电阻性存储器中产生参考电压的方法，所述方法包括通过将具有不同电压的两条位线连接在一起来产生所述参考电压。
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