[发明专利]制作互补型金属氧化物半导体图像传感器的方法

摘要

一种制作CMOS图像传感器的方法。首先，提供基底，且该基底具有传感器阵列区(sensor array region)与周边区。然后形成接触垫于该基底上的该周边区，并覆盖介电层于该基底上并暴露出该接触垫表面。接着形成遮盖层于该介电层与该接触垫表面，然后图案化该遮盖层，以于该周边区的该介电层上形成光挡层(optical shielding layer)并于该接触垫上形成保护层。随后形成多个彩色滤光片于该传感器阵列区的该介电层上以及形成平坦层于该等彩色滤光片及该光挡层上。最后形成多个微透镜于该平坦层表面。

主权项

1. 一种制作CMOS图像传感器的方法，包含步骤：提供基底，该基底具有传感器阵列区与周边区；形成接触垫于该基底上的该周边区；覆盖介电层于该基底上并形成开口以暴露出该接触垫表面；形成遮盖层并覆盖该介电层与该接触垫表面；图案化该遮盖层，以于该周边区的该介电层上形成光挡层并于该接触垫上形成保护层；形成多个彩色滤光片于该传感器阵列区的该介电层上；形成平坦层于该等彩色滤光片及该光挡层上；以及形成多个微透镜于该平坦层表面。