[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在所述半导体层上提供第一绝缘层、浮动栅、第二绝缘层、以及控制栅。形成浮动栅的半导体材料的带隙优选小于半导体层的带隙。形成浮动栅的半导体材料中的沟道形成区域的带隙和半导体层的带隙之间优选有0.1eV或更大的差距，并且前者小于后者。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，包括：在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层；在所述沟道形成区域上的第一绝缘层；中间夹着所述第一绝缘层在所述沟道形成区域上的浮动栅；在所述浮动栅上的第二绝缘层；以及中间夹着所述第二绝缘层在所述浮动栅上的控制栅，其中，所述浮动栅包括半导体材料，并且，所述半导体材料的带隙小于所述半导体层的带隙。