[发明专利]半导体器件及其测试方法和装置有效
| 申请号： | 200710087933.9 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101017810A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 池辺信彰;岩渕寿章;佐藤充弘;山形裕二 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01B11/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及该半导体器件的测试方法和装置，该半导体器件包括：电路板；半导体芯片，以其间具有预定间隙地安装到电路板上方并通过突起电极电连接到电路板；第一树脂材料，填充到电路板和半导体芯片之间的间隙中；第二树脂材料，密封安装到电路板上方的半导体芯片；第一反射器，形成于半导体芯片侧上的电路板的表面上并反射预定的测试光；和第二反射器，形成于在电路板侧上的半导体芯片的表面上并反射预定的测试光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：电路板；半导体芯片，以其间具有预定间隙地安装在所述电路板上方，并通过突起电极电连接到所述电路板；第一树脂材料，填充到所述电路板和所述半导体芯片之间的间隙中；第二树脂材料，密封安装在所述电路板上方的半导体芯片；第一反射器，形成于在所述半导体芯片侧上的所述电路板的表面上，并反射预定的测试光；以及第二反射器，形成于在所述电路板侧上的半导体芯片的表面上，并反射所述预定的测试光。
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