[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200710087981.8 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101022081A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 藤村隆 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种制造半导体器件的方法，其中，当聚酰亚胺树脂膜形成在半导体芯片的前表面上作为保护膜时，设置在划片线上的聚酰亚胺树脂膜被去除，且设置在半导体晶片的圆周部分上的聚酰亚胺树脂膜也被去除。由此，当研磨半导体晶片的后表面时，半导体晶片的外圆周部分和表面保护带可以被完全相互接合，由此使得可以填充表面保护带和形成在半导体晶片的前表面上的每条划片线之间的间隙，防止当研磨半导体晶片的后表面时磨碎的晶片渗入间隙中，并且防止划片线和半导体芯片的前表面被研磨屑污染。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体晶片的前表面上形成由聚酰亚胺树脂膜制成的钝化膜；去除设置在半导体晶片的划片线和半导体晶片的外圆周部分上的钝化膜；以及将保护带接合到半导体晶片的前表面上，并研磨半导体晶片的后表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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