[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种利用SBSI法制造半导体装置的方法，其中，支承体区域(210)具有：第一支承体区域(211)；与第一支承体区域垂直的第二支承体区域(212)；从第一支承体区域(211)与第二支承体区域(212)的交叉区域(220)沿第一支承体区域(211)的长度方向突出的第一突出区域(213)；以及从交叉区域(220)沿所述第二支承体区域(212)的长度方向突出的第二突出区域(214)，支承体保持区域(230)设置于：在平面观察下与第一突出区域(213)重叠且离开交叉区域(220)的位置、以及在平面观察下与第二突出区域(214)重叠且离开交叉区域(220)的位置。若采用这种构成，则可在交叉区域(240)的角部附近产生间隙(240)，在该间隙(240)形成使SiGe层的侧面露出的开口面。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基材上形成第一半导体层的工序；在所述第一半导体层上形成湿法腐蚀的选择比小于所述第一半导体层的第二半导体层的工序；通过腐蚀除去支承体保持区域的所述第二半导体层和所述第一半导体层，而在该支承体保持区域形成以所述半导体基材为底面的孔的工序；在所述半导体基材上形成支承体膜，埋入所述孔且覆盖所述第二半导体层的工序；在所述支承体膜上形成覆盖支承体区域且使除此以外的区域露出的掩模图案的工序；以所述掩模图案为掩模，依次对所述支承体膜、所述第二半导体层以及所述第一半导体层进行干法腐蚀，由此在所述孔的底面形成与所述半导体基材相接的支承体，并且在该支承体下面形成使所述第一半导体层的侧面露出的开口面的工序；经由所述开口面对所述第一半导体层进行湿法腐蚀，由此在所述第二半导体层与所述半导体基材之间形成空洞部的工序；和在所述空洞部内形成绝缘膜的工序，所述支承体区域具有：第一支承体区域；与所述第一支承体区域交叉的第二支承体区域；从所述第一支承体区域与所述第二支承体区域的交叉区域沿所述第一支承体区域的长度方向突出的第一突出区域；以及从所述交叉区域沿所述第二支承体区域的长度方向突出的第二突出区域，所述支承体保持区域设置于如下位置中的至少一个位置：在平面观察下与所述第一突出区域重叠且离开所述交叉区域的位置；或在平面观察下与所述第二突出区域重叠且离开所述交叉区域的位置。