[发明专利]微机械及其制造方法有效
| 申请号： | 200710088154.0 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101041413A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 山口真弓;泉小波 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 电路的半导体元件在栅电极上具有半导体层。半导体元件的半导体层由通过在衬底上进行加热处理或激光照射使非晶硅结晶化而成的包含多晶硅的层构成。所获得的包含多晶硅的层还用作结构体的可动电极等的结构层。因此，可以在同一衬底上同时形成结构体和控制结构体的电路。其结果，可以使微机械小型化。另外，不需要组装或封装，因此可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微机械，包括：在绝缘性表面上的电路；以及电连接到形成在所述绝缘性表面上的所述电路的结构体，其中，所述电路包括具有栅电极和在所述栅电极上的第一半导体层的半导体元件，所述结构体包括第二半导体层和空间部分，所述结构体的所述空间部分设置在所述绝缘性表面和所述第二半导体层之间，以及所述第二半导体层是包含多晶硅的层。
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