[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200710088173.3 | 申请日： | 2003-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101017800A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 富田和朗 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是，既能防止在最上层具有铜层的密封环的氧化及腐蚀，又能防止在切割时的电路形成区发生裂纹。在钝化膜(120)上形成直达层间绝缘膜(109)的开口部(123)。开口部(123)以包围密封环(110)的外侧的方式配置。也就是说，因为第2布线层(114)上表面完全被钝化膜(120)覆盖，所以第2布线层(114)的上表面未暴露于大气中。因而，能够防止因第2布线层的氧化、腐蚀而使密封环(110)对半导体器件的保护效果变差。并且，由于开口部(123)的存在，对切割区进行切割时的应力难以传递到电路形成区上的钝化膜(120)上，从而能够防止裂纹进入电路形成区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底；多个层间绝缘膜，层叠于上述半导体衬底上；密封环，形成为包围多个电路形成区，并形成为贯通半导体芯片的边缘部附近的上述多个层间绝缘膜；以及氮化膜，以覆盖上述半导体芯片的表面的方式形成于上述密封环的上层；上述密封环形成于上述半导体芯片的半导体衬底上；上述氮化膜在上述电路形成区的外侧具有贯通上述氮化膜的第一开口部；上述密封环具有：第一部位，底部与上述半导体衬底连接并含有钨；以及第二部位，底部与上述第一部位的上部连接并含有铜金属；含有铝金属的第三部位设置成覆盖上述第二部位的上部。
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