[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200710088174.8 | 申请日： | 2003-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101026120A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 富田和朗 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是，既能防止在最上层具有铜层的密封环的氧化及腐蚀，又能防止在切割时的电路形成区发生裂纹。在钝化膜(120)上形成直达层间绝缘膜(109)的开口部(123)。开口部(123)以包围密封环(110)的外侧的方式配置。也就是说，因为第2布线层(114)上表面完全被钝化膜(120)覆盖，所以第2布线层(114)的上表面未暴露于大气中。因而，能够防止因第2布线层的氧化、腐蚀而使密封环(110)对半导体器件的保护效果变差。并且，由于开口部(123)的存在，对切割区进行切割时的应力难以传递到电路形成区上的钝化膜(120)上，从而能够防止裂纹进入电路形成区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种通过对切割区进行切割而形成的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：准备具有电路形成区的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成第一层间绝缘膜；通过在上述第一层间绝缘膜内形成第一沟槽之后利用电镀法在上述第一沟槽内淀积铜金属，从而形成包围上述电路形成区的密封环；在上述第一层间绝缘膜上形成铝金属膜；通过利用第一掩模对上述铝金属膜进行刻蚀，从而形成覆盖上述密封环的上表面的铝金属层；在上述第一层间绝缘膜和上述铝金属层上形成氮化膜；以及通过利用第二掩模对上述氮化膜进行刻蚀，从而在上述切割区与上述密封环之间设置贯通上述氮化膜的第一开口部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
