[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置有效
申请号: | 200710088374.3 | 申请日: | 2007-03-16 |
公开(公告)号: | CN101038860A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 小笠原幸辅;齐藤进;野泽秀二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/66;C23F4/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置,能够自动判定基板的种类,自动选择与所判定基板类别对应的终点检测设定,由此,能够在不限定基板类别的情况下进行正确的终点检测。预先求得与多种晶片类别对应而设定的晶片类别数据与光学数据的相关关系,在等离子体处理晶片时,利用相关关系,从开始等离子体处理时得到的光学数据算出晶片类别数据(S221、S222),基于算出的晶片类别数据判定晶片类别(S223),从存储在数据存储单元中的各终点检测设定数据中选择与所判定晶片类别对应的终点检测设定数据(S224),基于所选择的终点检测设定数据进行等离子体处理的终点检测。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理方法,向设置在处理室内的电极施加高频电力,使处理气体产生等离子体,利用该等离子体对于基板实施规定的处理,其特征在于,包括:利用多变量分析求得与多种基板类别相对应而设定的基板类别数据、与在对所述基板进行等离子体处理时利用光学数据检测单元检测的光学数据之间的相关关系的分析工序;利用在所述分析工序中求得的相关关系,在开始某基板的等离子体处理时,根据所述光学数据检测单元检测的光学数据计算基板类别数据,基于算出的基板类别数据判定该基板的类别的判定工序;根据用于检测分别与所述各基板类别相关联而预先存储在数据存储单元中的等离子体处理的终点的各设定数据,选择与在所述判定工序中判定的所述基板类别相对应的设定数据的选择工序;基于在所述选择工序中选择的设定数据,进行所述等离子体处理的终点检测的终点检测工序;以及在所述终点检测工序中检测出的终点完成等离子体处理的完成工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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