[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710088412.5 | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101043047A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 崔宰凡;张荣真;郑宽旭;沈承焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过薄膜晶体管(“TFT”)和像素电极来驱动的例如有机发光二极管(“OLED”)显示器的显示装置，所述薄膜晶体管包括驱动TFT和开关TFT。所述显示装置包括用于开关TFT的非晶硅层以及用于驱动TFT的微晶硅或多晶硅层。所述非晶硅层和所述微晶硅层通过绝缘层分隔。所述装置提供了产品可靠性和高的图像质量。所述装置的制造方法的特征在于，减少了工艺步骤，并在光刻工艺期间利用了适于形成开关TFT或驱动TFT的源电极和漏电极以及半导体层的特定掩模，所述掩模为半调掩模或狭缝掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，包括：基板；像素电极；包括所述基板上的第一半导体层的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管连接到所述像素电极；在所述第一薄膜晶体管之上的绝缘层；以及包括所述绝缘层上的第二半导体层的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管电连接到所述第一薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管含有形成在所述第一半导体层的顶表面上的源电极和漏电极，以及/或者所述第二薄膜晶体管含有形成在所述第二半导体层的顶表面上的源电极和漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
