[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法

摘要

提出了一种具有新结构所述的非易失性半导体存储器件，其中存储单元以三维状态层叠，从而可以减小芯片面积。本发明的非易失性半导体存储器件是具有多个存储串的非易失性半导体存储器件，其中多个电可编程存储单元串联连接。该存储串包括柱状半导体；形成在该柱状半导体周围的第一绝缘膜；形成在该第一绝缘膜周围的电荷存储层；形成在该电荷存储层周围的第二绝缘膜；以及形成在该第二绝缘膜周围的第一至第n电极(n是不小于2的自然数)。其中该存储串的第一至第n电极以及其它存储串的第一至第n电极分别形成以二维状态伸展的第一至第n导体层。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：多个存储串，该多个存储串包括具有多个串联连接的电可编程存储单元的存储串，其中该存储串包括柱状半导体、在该柱状半导体周围形成的第一绝缘膜、在该第一绝缘膜周围形成的电荷存储层、在该电荷存储层周围形成的第二绝缘膜以及在该第二绝缘膜周围形成的第一至第n电极，n是不小于2的自然数；并且其中该存储串的第一至第n电极与其它存储串的第一至第n电极分别形成二维伸展的第一至第n导体层。