[发明专利]电致发光装置、电子设备及电致发光装置的制造方法无效
申请号: | 200710088512.8 | 申请日: | 2007-03-14 |
公开(公告)号: | CN101038932A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 岩下贵弘;石黑英人 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;G09F9/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种即使在由有机平坦化膜对开关元件形成的凹凸进行平坦化后的情况下也能防止从有机平坦化膜向有机发光功能层的水分的扩散的EL装置、电子设备及其制造方法。为了制造EL装置,而将对由薄膜晶体管(7)所产生的凹凸进行平坦化处理的有机平坦化层(25)从发光区域(110)一体形成至非发光区域(120)为止。因此即使在发光区域(110)形成保护层(14)的情况下,在非发光区域(120)中,有机平坦化层(25)的上面从保护层(14)露出。从而该状态下进行烘培处理,则发光区域(120)上形成的有机平坦化膜(25)含有的水分在有机平坦化膜(25)内从发光区域(110)向非发光区域(120)扩散之后从上面放出。 | ||
搜索关键词: | 电致发光 装置 电子设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种电致发光装置,在基板上具有配置有多个像素的发光区域、和位于比该发光区域靠向外周侧的非发光区域,所述多个像素具备:开关元件;有机平坦化膜,使通过该开关元件形成的凹凸平坦化;反射层,配置于该平坦化层的上层;保护层,覆盖该反射层的表面侧;透光性的第一电极层,在该保护层的上层与所述开关元件电连接;有机发光功能层,配置于该第一电极层的上层;和第二电极层,配置于该有机发光功能层的上层;所述有机平坦化膜从所述发光区域被一体形成至所述非发光区域内为止;在所述非发光区域中,所述有机平坦化膜的上面从所述保护层露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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