[发明专利]半导体存储器装置

摘要

提供了一种半导体存储器装置，包括基底区域；第一和第二隔离区；第一阱区域，其中放置有第一晶体管；第二阱区域，其中放置有第二晶体管，用于输出第一电压以将该第一晶体管置于非导通；以及第三阱区域，其中放置有第三晶体管，用于输出第二电压以将该第一晶体管置于导通。该第二和第三阱区域以及第二隔离区形成在两个第一阱区域之间，该第二隔离区形成在第二阱区域与其中一个第一阱区域之间，并且该第三阱区域形成在第二阱区域与另一个第一阱区域之间。

主权项

1.一种半导体存储器装置，其中包括存储器单元，其用于通过第一晶体管和电容来存储数据，以及字驱动器，其用于通过串联连接的第二晶体管和第三晶体管来控制该第一晶体管，包括：由第一导电类型的半导体形成的基底区域；位于该基底区域的上层中的由第二导电类型的半导体形成的第一隔离区；其中放置有第一晶体管的第一阱区域，其位于该第一隔离区的上层中，由第一导电类型的半导体形成；其中放置有第二晶体管的第二阱区域，其位于该第一隔离区的上层中，由第一导电类型的半导体形成；其中放置有第三晶体管的第三阱区域，其位于该第一隔离区的上层中，由第二导电类型的半导体形成；以及第二隔离区，其位于该第一隔离区的上层中，由第二导电类型的半导体形成，其中该第二阱区域、第三阱区域以及第二隔离区形成在两个第一阱区域之间，该第二隔离区形成在第二阱区域与其中一个第一阱区域之间，并且该第三阱区域形成在第二阱区域与另一个第一阱区域之间。