[发明专利]平面显示器的半导体结构及其制造方法

摘要

本发明关于一种平面显示器的半导体结构及其制造方法，其包括基板，具有有源元件区与电容区；图案化的多晶硅层，配置于该基板的有源元件区与电容区上，该多晶硅层具有沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区与漏极区；栅极堆叠层，配置于该沟道区上，以及电容堆叠层，配置于该电容区的多晶硅层上，其中该栅极堆叠层与该电容堆叠层均包含第一介电层、第一导电层、第二介电层与第二导电层；第三介电层，配置于该多晶硅层、该栅极堆叠层与该电容堆叠层上，该第三介电层中具有接触窗；以及像素电极，配置于该第三介电层上，且经由该接触窗电性连接至该漏极区的多晶硅层。本发明的方法降低了生产流程及制造成本而且还增加了各像素的存储电容器的电容量。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，应用于一平面显示器，其步骤包括：提供一基板，该基板具有一有源元件区与一电容区；在该基板的该有源元件区与该电容区上形成一图案化的多晶硅层；在该基板上依序形成一第一介电层、一第一导电层、一第二介电层与一第二导电层；图案化该第一介电层、该第一导电层、该第二介电层与该第二导电层，在该有源元件区上形成一栅极，并且在该电容区上形成一电容电极；掺杂该多晶硅层，在该栅极两侧形成一源极区与一漏极区，且在该栅极下形成一沟道区；在该基板上依序形成一内层介电层与一保护层；在该保护层与该内层介电层中形成一漏极接触窗，暴露出该漏极区的该多晶硅层；在该基板上形成一第三导电层，电性连接至该漏极区的该多晶硅层；以及图案化该第三导电层，形成一像素电极。