[发明专利]叠层布线和利用该叠层布线的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710088746.2 | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101043049A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 田中淳;加纳博司 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/786;H01L23/532;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种由微晶硅薄膜和金属薄膜构成的叠层布线，该叠层布线能够抑制微晶硅薄膜和金属薄膜之间的过多硅化物生成反应，由此防止发生薄膜脱落。在利用叠层布线的多晶硅TFT(薄膜晶体管)中，微晶硅薄膜被构造，使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少；或者使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的50％或更小的晶粒，总计为构成微晶硅薄膜的晶粒总数的85％或更多。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 利用 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种叠层布线，包括：微晶硅薄膜；以及在所述微晶硅薄膜上形成的金属薄膜，其中构成所述微晶硅薄膜的晶体结构的、在所述微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为所述微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社，未经日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088746.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中国英语教材及其载体
- 下一篇：自动升高成形多功能节能灯
- 同类专利
- 专利分类
