[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 200710088784.8 | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101042985A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 樋口鲇美;新居健一郎 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/67;B08B3/04;B08B3/10;B08B3/12;B05B7/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的基板处理装置把缓冲槽设置在纯水供给部的路径途中，在缓冲槽内设置有微泡发生器。在进行基板的处理时，在缓冲槽内生成大量的微泡，并把该微泡从缓冲槽供给到处理槽。因此，使用小型的微泡发生器就能够防止基板处理装置的大型化，同时可以把大量的微泡供给到基板的周围。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其用处理液处理基板，其特征在于，设置有：存积处理液的处理槽、在所述处理槽内保持基板的保持部、向所述处理槽内供给处理液的处理液供给部、在所述处理液供给部的供给路径途中存积处理液的缓冲槽、和在存积于所述缓冲槽内的处理液中产生微泡的微泡发生部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
