[发明专利]电路基板、电路基板的制造方法、电光学装置和电子设备有效
申请号: | 200710088787.1 | 申请日: | 2007-03-22 |
公开(公告)号: | CN101043068A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | 青木敬 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种带有基板、栅电极、栅绝缘层、源电极、漏电极和有机半导体层的电路基板,减小了其反向电流。本发明的电路基板(1)的特征在于其具备:基板(7)、安装在基板(7)的一面侧的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(2)、使该源电极(5)和漏电极(6)与该栅电极(2)绝缘的栅绝缘层(3)和与该栅绝缘层(3)相接设置的有机半导体层(4),在形成有所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中具有底面位于所述基板(7)的内部或基板(7)侧的凹部(8),所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面设定在比该区域以外的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面更靠向所述基板(7)的一侧。 | ||
搜索关键词: | 路基 制造 方法 光学 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1、一种电路基板,其特征在于,包括:基板;形成于所述基板上的源电极和漏电极;形成于所述源电极和漏电极上的有机半导体层;形成于所述有机半导体层上的栅绝缘层;和形成于所述栅绝缘层上的栅电极,所述基板包括第一部分、第二部分和夹在所述第一部分和所述第二部分的第三部分,所述第一部分的厚度和所述第二部分的厚度大于所述第三部分的厚度,所述源电极形成于所述第一部分上,所述漏电极形成于所述第二部分上,所述有机半导体层的一部分形成于所述第三部分上,位于所述第一部分和第二部分上的所述栅绝缘膜的膜厚小于位于所述第三部分上的所述栅绝缘膜的膜厚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088787.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择