[发明专利]磁传感器以及磁性记录再现装置无效
| 申请号： | 200710089024.9 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101154705A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 佐藤利江;水岛公一;工藤究 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R33/09;G11B5/39 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明要解决的技术问题是作为磁传感器的磁性振荡元件细微化加工技术的困难及磁的热噪声引起的SN比下降。本发明的磁传感器具有：磁性振荡元件，该磁性振荡元件具有磁化方向被固定的第一磁化固定层、第一磁化振荡层、设置在第一磁化固定层与第一磁化振荡层之间的第一非磁性层、以及对第一磁化固定层和第一磁化振荡层以及第一非磁性层的膜面在垂直方向上进行通电的一对电极，并且其振荡频率根据外部磁场的大小的变化而变化；以及振荡元件，该振荡元件设置在该磁性振荡元件附近，其振荡频率与所述磁性振荡元件的振荡频率的差在预定范围之内；该磁传感器通过通电而获取在磁性振荡元件和振荡元件产生的高频振荡信号。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 以及 磁性 记录 再现 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其特征在于，包括：磁性振荡元件，该磁性振荡元件具有磁化方向被固定的第一磁化固定层、第一磁化振荡层、设置在所述第一磁化固定层与所述第一磁化振荡层之间的第一非磁性层、以及对所述第一磁化固定层和所述第一磁化振荡层及所述第一非磁性层的膜面在垂直方向上进行通电的一对电极，并且所述磁性振荡元件的振荡频率随着外部磁场大小的变化而变化；以及振荡元件，该振荡元件设置在所述磁性振荡元件的附近，其振荡频率与所述磁性振荡元件的振荡频率的差在预定范围之内，该磁传感器通过所述通电而获取在所述磁性振荡元件和所述振荡元件产生的高频振荡信号。
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