[发明专利]相变存储器单元结构、相变存储器单元及其形成方法无效
| 申请号： | 200710089144.9 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101047230A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 黄洸汉;杨智超;J·C·阿诺德;L·L·赫萨;M·C·盖迪斯;T·J·多尔顿;C·J·拉登斯;L·A·克莱文杰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种PCM单元结构，其包括第一电极、相变元件和第二电极，其中该相变元件被插入第一电极与第二电极之间，并且只有第一电极和第二电极之一的周界边沿与相变元件接触，从而减少相变元件与电极之一的接触面积，从而增加了经过相变元件的电流密度并且有效地以第一编程功率引起相变。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器单元结构，其包括：相变元件；以及具有周界的薄膜电极；其中所述相变元件电连接到所述薄膜电极的所述周界的至少一部分。
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