[发明专利]硅片表面金属电极制作方法及开槽器有效
| 申请号： | 200710089300.1 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101034724A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 高文秀 | 申请（专利权）人： | 高文秀 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/304 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所 | 代理人： | 田小伍 |
| 地址： | 200000*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 硅片表面金属电极制作方法，把所要制作电极的硅片固定在印刷台面上，先在硅片表面上根据需要的深度划开硅片表面自然氧化层形成沟槽，再使印刷电极浆料填埋入沟槽中，最后烧结硅片使印刷电极浆料与硅表面形成牢固的微合金，从而形成良好欧姆接触的表面电极。专用开槽器包括内设浆料通道的握柄，握柄下面前部前后设置锥形出浆管口和劈刀，出浆管口与开槽器浆料通道连通。出浆管用不锈钢亚毫米细管制成。利用本发明制作硅片表面金属电极，工艺简单、材料消耗少、生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 表面 金属电极 制作方法 开槽 | ||
【主权项】：
1、硅片表面金属电极制作方法，其特征在于，把所要制作电极的硅片固定在印刷台面上，先在硅片表面上根据需要的深度划开硅片表面自然氧化层形成沟槽，再使印刷浆料填埋入沟槽中，最后烧结硅片使印刷浆料与硅表面形成牢固的微合金，从而形成良好的欧姆接触表面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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