[发明专利]半导体结构以及制造半导体结构的方法

摘要

制造CMOS结构的方法使用位于半导体衬底的第一取向区域上方的第一栅极叠层。第二栅极材料层位于第一栅极叠层和横向相邻的所述半导体衬底的第二取向区域上。平面化层位于第二栅极材料层上。对平面化层和第二栅极材料层进行非选择性蚀刻，以形成接近第一栅极叠层的高度的第二栅极叠层。可以在第一栅极叠层上形成蚀刻阻止层。结果得到的CMOS结构可以包括不同的栅极电介质、金属栅极和硅栅极。

主权项

1.一种半导体结构，包括：位于半导体衬底内的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一取向表面半导体层、位于第一取向表面半导体层上的第一栅极电介质、位于第一栅极电介质上的第一金属栅极、和位于第一金属栅极上的第一硅栅极；和位于所述半导体衬底内的第二晶体管，所述第二晶体管包括不同于所述第一取向表面半导体层的第二取向表面半导体层、位于第二取向表面半导体层上的第二栅极电介质、位于第二栅极电介质上的第二金属栅极和位于第二金属栅极上的第二硅栅极。