[发明专利]形成异质结双极晶体管的方法及相关结构有效
| 申请号： | 200710089329.X | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101087000A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·A.·沃尔纳;托马斯·N.·亚当;斯蒂芬·W.·贝戴尔;乔尔·P.·德索扎;凯斯莱恩·T.·舍恩伯格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/737;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成异质结双极晶体管的方法及相关结构。本发明公开了一种使用多孔硅形成隔离区的方法及相关结构。本发明的一个实施例可以包括形成收集极区；在该收集极区内形成多孔硅区；在收集极区上形成晶体硅本征基极层，该本征基极层在多孔硅区的一部分上延伸，从而形成非本征基极；和在多孔硅区内形成隔离区。该方法适用于形成HBT，其具有一个结构，该结构包括延伸超出收集极区并在隔离区上延伸的晶体硅本征基极，从而形成低电阻的连续本征－非本征基极传导路径。该HBT具有更小的收集极－本征基极界面，和更大的本征基极－非本征基极界面，因此具有更高的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 异质结 双极晶体管 方法 相关 结构 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：晶体硅本征基极，其延伸超出收集极区并在隔离区上方延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710089329.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
