[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200710089347.8 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101079441A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 库纳尔·威地;吕在成;理查德·P.·沃朗特;弗朗索瓦·帕日蒂 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/737;H01L29/417;H01L23/367;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体器件及其形成方法。器件结构包括基片和至少一个半导体器件，该基片具有前表面和背表面，该至少一个半导体器件包括位于基片内的第一导电结构和位于之上的第二导电结构。第一导电接触位于基片的前表面上方，并从第一导电结构横向偏离。该第一导电接触通过一个传导路径与第一导电结构电连接，该导电路径的延伸范围是：(1)从第一导电结构通过基片到其背表面，(2)跨越基片的背表面，和(3)从背表面通过基片到前表面上的第一导电接触。进一步，在前表面上有第二导电接触，并与第二导电结构电连接。传导路径的形成可以通过光刻和刻蚀，随后进行金属沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种器件结构，包括：基片，其具有前表面和后表面；至少一个半导体器件，其至少包括位于基片内的第一导电结构和位于其上的第二导电结构，第一导电接触，其位于基片前表面之上，并与第一导电结构横向偏离，其中所述第一导电接触通过导电路径与第一导电结构电连接，该导电路径延伸于：(1)从第一导电结构通过基片到其背表面，(2)跨越基片的背表面，和(3)从背表面通过基片到基片前表面上的第一导电接触；以及第二导电接触，其位于基片前表面之上，并与第二导电结构电连接。
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