[发明专利]形成金刚石微通道结构的方法和所得到的器件有效
| 申请号： | 200710089377.9 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101071756A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·多里 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/71;H01L21/822;H01L23/34;H01L27/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种设置在管芯上的金刚石微通道结构以及形成该金刚石微通道结构的方法。每个通道的一个或多个壁可以由金刚石(或者其它类金刚石材料)构成。该微通道结构可以形成用于管芯的流体冷却系统的一部分。介绍其它实施例并要求其权利。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金刚石 通道 结构 方法 得到 器件 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：在衬底上形成沟槽，所述衬底由半导体材料构成；在该沟槽中形成热传导结构，所述热传导结构由金刚石或者类金刚石材料构成；以及去除所述衬底的邻近所述热传导结构的部分以形成通道，所述热传导结构形成所述通道的壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
