[发明专利]穿隧磁阻元件及其制造方法

摘要

本发明提供了穿隧磁阻元件及其制造方法。通过对第一钉扎磁层进行平滑处理而使得非磁性中间层变得平滑，可获得磁阻元件中的第一钉扎磁层与第二钉扎磁层之间的稳定反铁磁交换耦合。通过顺次层叠底层、反铁磁层、第一钉扎磁层、非磁性中间层、第二钉扎磁层、隧道势垒层、自由磁层以及保护层来制造所述磁阻元件。在将所述非磁性中间层层叠在所述第一钉扎磁层上之前对所述第一钉扎磁层进行平滑处理。通过使得隧道势垒层变得平滑，即使当厚度减小时也能获得稳定磁阻特性。在这种情况下，即使隧道势垒层要求晶体特性也能获得优异的磁阻特性。

主权项

1.一种磁阻元件，该磁阻元件包括顺次层叠的如下多个层：底层；反铁磁层；第一钉扎磁层；非磁性中间层；第二钉扎磁层；隧道势垒层；自由磁层；以及保护层，所述磁阻元件是通过如下处理而制成的：顺次层叠所述多个层，并且在将所述非磁性中间层层叠在所述第一钉扎磁层上之前，对所述第一钉扎磁层进行平滑处理。