[发明专利]氧化铝烧结体有效
申请号: | 200710089470.X | 申请日: | 2007-03-23 |
公开(公告)号: | CN101042993A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | 服部亮誉;森丰;曻和宏 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683;C23C16/00;C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张敬强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是降低在第1主面(SF1)和埋设电极(2)之间的氧化铝基体(1)上产生的裂纹的发生率。所采用的方法是,氧化铝烧结体具备:具有相对的第1主面和第2主面的氧化铝基体(1);在离第1主面(SF1)0.4毫米以下深度HD由埋设在氧化铝基体(1)内的金属构成的膜状的埋设电极(2);在比埋设电极(2)更靠第2主面(SF2)侧埋在氧化铝基体(1)内的金属做成的埋设端子(3)。埋设端子(3)与埋设电极(2)接触,埋设电极(2)的膜厚HE在25微米以下。 | ||
搜索关键词: | 氧化铝 烧结 | ||
【主权项】:
1.一种氧化铝烧结体,其特征在于,具备:具有相对的第1主面和第2主面的氧化铝基体;在离所述第1主面0.4毫米以下的深度由埋在所述氧化铝基体内的金属构成的膜状的埋设电极;以及,在比所述埋设电极更靠第2主面侧由埋在所述氧化铝基体内的金属构成的埋设端子,所述埋设端子与所述埋设电极接触,所述埋设电极的膜厚在25微米以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造