[发明专利]通过调节导电垫上的扫掠行程的条件来调整移除行程无效
| 申请号： | 200710089601.4 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101047125A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 杜天保;刘凤全;羽洁美;A·杜博斯特;许伟勇 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/321;B24B1/00;B24B1/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是揭示一种研磨制程期间控制材料从基材的移除率的方法。在一实施例中，会判定该基材的预研磨轮廓并依据该轮廓调整研磨垫调整参数。诸如调整头部扫掠范围及频率、及调整组件下压力以及每分钟转速等参数也可作调整来选择性调整衬垫部分，以维持衬垫最佳的研磨状态。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 调节 导电 行程 条件 调整 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体基材的方法，其至少包含下列步骤：判定该基材即将具有的厚度轮廓；依据该厚度轮廓设定调整参数；以及依据所述调整参数来调整研磨衬垫的处理表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
