[发明专利]薄膜半导体器件、其制造工艺以及液晶显示器无效
| 申请号： | 200710089611.8 | 申请日： | 2004-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101026187A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 田舍中博士 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/136;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供制作薄膜半导体器件的工艺，该工艺适合于批量生产并使生产成本降低。对第一基板进行阳极化以在其上形成多孔层。然后，在该多孔层上形成薄膜半导体层。通过使用该薄膜半导体层，形成半导体器件，且在各半导体器件之间形成布线。其后，将第一基板上的半导体器件粘接到第二基板上。将这些半导体器件与该第一基板分离。此外，通过将该薄膜半导体层从第二基板的分离表面移除而使这些半导体器件电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 制造 工艺 以及 液晶显示器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体器件，包括：通过使用厚度为几百埃到大约1μm的薄膜半导体层而形成的半导体器件，和通过部分地移除所述薄膜半导体层并使所述半导体器件相互电绝缘而获得的岛状结构。
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