[发明专利]发光二极管的封装结构与其制造方法无效
| 申请号： | 200710089623.0 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101047221A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 胡振宇;蔡升颖;王亲民 | 申请（专利权）人： | 奇菱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/075;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省台南县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的封装结构，至少包含基板、发光二极管、等离子体化学气相沉积层以及透光材料层，其中基板具有多个接点；发光二极管设置于基板上且电性连接至这些接点；等离子体化学气相沉积层设置于发光二极管上，且等离子体化学气相沉积层的折射率是小于发光二极管的折射率；透光材料层设置于等离子体化学气相沉积层上，且透光材料层的折射率是小于等离子体化学气相沉积层的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的封装结构，至少包含：一基板，该基板具有多个接点；至少一发光二极管，设置于该基板上，该至少一发光二极管电性连接至这些接点；一等离子体化学气相沉积层，设置于该至少一发光二极管上，该等离子体化学气相沉积层的折射率是小于该至少一发光二极管的折射率；以及一透光材料层，其设置于该等离子体化学气相沉积层上，该透光材料层的折射率是小于该等离子体化学气相沉积层的折射率。
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