[发明专利]MOSFET功率封装无效
| 申请号： | 200710089675.8 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101064300A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李文清;骆建仁;龚德梅 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/07;H01L23/488;H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率MOSFET封装。该功率MOSFET封装包括一个引线框架，其第一和第二模垫片相互绝缘，且所述第一模垫片与第一漏引线、所述第二模垫片与第二漏引线连接；一个第一MOSFET器件，其漏接触与第一模垫片连接，栅接触与第一栅引线连接，源接触与第二模垫片连接；一个第二MOSFET器件，其漏接触与第二模垫片连接，栅接触与第二栅引线连接，源接触与源引线连接；和一种密封剂，它基本上将引线框架、第一和第二MOSFET器件、部分第一和第二栅引线、第一和第二漏引线以及源引线密封。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 功率 封装 | ||
【主权项】：
1、一种功率MOSFET封装，其包括：一个引线框架，所述引线框架的第一和第二模垫片相互绝缘，且所述第一模垫片与第一漏引线、所述第二模垫片与第二漏引线连接；一个第一MOSFET器件，所述第一MOSFET器件的漏接触与所述第一模垫片连接，栅接触与第一栅引线连接，源接触与所述第二模垫片连接；一个第二MOSFET器件，所述第二MOSFET器件的漏接触与所述第二模垫片连接，栅接触与第二栅引线连接，源接触与源引线连接；和一种密封剂，所述密封剂基本上将所述引线框架、所述第一和第二MOSFET器件、部分所述第一和第二栅引线、所述第一和第二漏引线以及所述源引线密封。
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