[发明专利]光电芯片的多芯片增层封装构造及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710089685.1 申请日: 2007-03-27
公开(公告)号: CN101026148A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 王建皓 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/18;H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陆嘉
地址: 台湾省高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种光电芯片的多芯片增层封装构造,主要包含金属载体、集成电路芯片、光电芯片、增层封装结构的数个介电层与数个线路层以及透光导电基板。该集成电路芯片是设于该金属载体上,且被其中一介电层覆盖,该集成电路芯片的数个电极并电性连接至该些线路层。该光电芯片则局部嵌埋于其中一介电层内,并显露出该光电芯片的一光电作动区以及数个电极。该透光导电基板是设置于该些介电层与该光电芯片之上,并藉由该些线路层电性连接该光电芯片与该集成电路芯片,使得以增层方式嵌埋的集成电路芯片与光电芯片能电性互连。
搜索关键词: 光电 芯片 封装 构造 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种光电芯片的多芯片增层封装构造,包含:金属载体,金属载体经图案化形成一散热片部以及数个连接垫,且该散热片部与该些连接垫具有一显露表面;集成电路芯片,其是设于该金属载体上并具有数个第一电极;第一介电层,其是形成于该金属载体上,以覆盖该集成电路芯片并显露该些第一电极;第一线路层,其是形成于该第一介电层上,该第一线路层是电性连接至该些第一电极;光电芯片,其是设于该第一介电层的上方,并具有数个第二电极以及一光电作动区;第二介电层,其是形成于该第一介电层的上方,以局部覆盖该光电芯片并显露该些第二电极与该光电作动区;数个导电组件,其是电性连接至该第一线路层并显露于该第二介电层之外;透光导电基板,其是设置于该第二介电层与该光电芯片之上,并电性连接该些导电组件与该些第二电极;以及一焊罩层,其是形成于该第一介电层的该显露表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710089685.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top