[发明专利]共射共基电路和半导体装置有效
| 申请号： | 200710089711.0 | 申请日： | 2007-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101047336A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 井村多加志 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/156 | 分类号： | H02M3/156 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘杰;刘宗杰 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有高的电源抑制比且可以工作于低电压的参考电压电路。该参考电压电路包括偏置电路，构造成使得耗尽型晶体管(3)串联连接到负载电路的电源电压供给端，用于检测流过该负载电路以作为电流源工作的增强型MOS晶体管(4)连接到该负载电路，耗尽型MOS晶体管(5)串联连接到该晶体管(4)，且晶体管(5)的栅极端连接到晶体管(5)的源极端，其中耗尽型晶体管(3)的栅极端连接到耗尽型晶体管(5)的源极端。 | ||
| 搜索关键词： | 共射共基 电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种共射共基电路，包括：第一N沟道耗尽型MOS晶体管，源极和栅极相互连接；第二N沟道耗尽型MOS晶体管，栅极连接到所述第一N沟道耗尽型MOS晶体管的栅极，用于将功率供给到连接到所述第二N沟道耗尽型MOS晶体管的源极的负载电路；以及控制电流源，连接到所述第一N沟道耗尽型MOS晶体管的源极，所述控制电流源受到通过所述负载电路的电流控制，其中，所述第一N沟道耗尽型MOS晶体管的漏极-源极电压设置为高于阈值电压，所述衬底电势设置为低于所述第一N沟道耗尽型MOS晶体管的源极电势，且所述第二N沟道耗尽型MOS晶体管的漏极-源极电压设置为高于阈值电压，所述衬底电势设置为低于所述第二N沟道耗尽型MOS晶体管的源极电势。
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