[发明专利]对应于环回测试的半导体器件的制造方法及半导体器件有效

专利信息
申请号: 200710089809.6 申请日: 2007-03-30
公开(公告)号: CN101047148A 公开(公告)日: 2007-10-03
发明(设计)人: 野田宽 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/60;H01L21/66;H01L27/02;H01L23/544;G01R31/28;G01R1/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 测试设备(102)包含一端与输入端子(T1)相连、另一端与输出端子(T3)相连、使直流分量衰减的第1元件(C1);一端与输入端子(T1)相连、使交流分量衰减的第2元件(L1);半导体器件的制造方法包括:连接半导体器件(101)的外部输出端子(TX+)和测试设备(102)的输入端子(T1),并且连接半导体器件(101)的外部输入端子(RX+)和测试设备(102)的输出端子(T3)的步骤;检测第2元件(L1)的另一端的电压的步骤;从半导体器件(101)的外部输出端子(TX+)输出交流信号到测试设备(102)中,检测半导体器件(101)从测试设备(102)在外部输入端子(RX+)上接收的信号的步骤。
搜索关键词: 对应 测试 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种使用测试设备、包括半导体集成电路的半导体器件的制造方法,上述测试设备包括:输入端子;输出端子;一端与上述测试设备的输入端子相连、另一端与上述测试设备的输出端子相连、使直流分量衰减的第1元件;和一端与上述测试设备的输入端子或输出端子相连、使交流分量衰减的第2元件,该方法包括:形成包含输出信号用焊盘、输入信号用焊盘的上述半导体集成电路的步骤;准备外部输出端子和外部输入端子的步骤;将上述输出信号用焊盘和上述外部输出端子键合,并且将上述输入信号用焊盘和上述外部输入端子键合的步骤;把上述外部输出端子和上述测试设备的输入端子电连接,并且,把上述外部输入端子和上述测试设备的输出端子电连接的步骤;根据上述第2元件的另一端的电压,判断上述半导体器件是否合格的直流测试步骤;以及从上述半导体集成电路的输出信号用焊盘经上述外部输出端子向上述测试设备的输入端子输出交流信号,根据从上述测试设备的输出端子经过上述外部输入端子而在上述半导体集成电路的上述输入信号用焊盘上接收的信号,来判断上述半导体器件是否合格的交流测试步骤。
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