[发明专利]非易失性存储器件及其编程、读取和擦除方法无效
| 申请号： | 200710089844.8 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101174470A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 金镐正 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/32 | 分类号： | G11C16/32;G11C16/26;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列和电压控制单元。存储单元阵列包括各自包含多个单元串的多个存储块。每个单元串包括第一选择晶体管、第二选择晶体管、以及串联连接在第一选择晶体管和第二选择晶体管之间的至少一个存储单元晶体管。电压控制单元响应于与所述多个存储块相对应的多个块选择信号，将第一选择线电压和字线电压分别提供给连接到第一选择晶体管的第一选择线以及连接到存储单元晶体管的字线，并且与块选择信号无关地将第二选择线电压直接提供给连接到第二选择晶体管的第二选择线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 编程 读取 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，其包括各自包含多个单元串的多个存储块，每个单元串包括第一选择晶体管、第二选择晶体管、以及串联连接在第一选择晶体管和第二选择晶体管之间的至少一个存储单元晶体管；以及电压控制单元，其响应于与所述多个存储块相对应的多个块选择信号，将第一选择线电压和字线电压分别提供给连接到第一选择晶体管的第一选择线以及连接到存储单元晶体管的字线，并且与块选择信号无关地将第二选择线电压直接提供给连接到第二选择晶体管的第二选择线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710089844.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
