[发明专利]蘸取式硅片制作方法有效
| 申请号： | 200710089901.2 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101070620A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 高文秀 | 申请（专利权）人： | 高文秀 |
| 主分类号： | C30B29/64 | 分类号： | C30B29/64 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所 | 代理人： | 田小伍 |
| 地址： | 210083*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 蘸取式硅片制作方法，在高纯氩气环境中，将一面涂有脱膜剂的平板的相对面固定在固定器上，使平板的脱膜剂面平行蘸取液态硅，升起平板并快速冷却处理，在平板脱膜剂层外形成一层硅层；硅层与脱膜剂层脱离形成硅片。蘸取液态硅并经冷却形成硅层后，在退火炉中氩气保护下进行退火处理。平板的材料为二氧化锆或者二氧化铪，液态硅温度控制在1425－1480℃；蘸取液态硅前将涂有脱膜剂的平板预热使其温度达到800－1000℃；蘸取时平板进入液态硅面的深度为0.3－0.7mm，蘸取时间为0.3－0.5s，形成硅片的厚度为100－400μm。蘸取液态硅后把平板移至流动式氩气冷却系统进行处理，在平板上形成一层硅层。本发明工艺耗时短、无浪费硅材料、工艺环节少、生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 蘸取式 硅片 制作方法 | ||
【主权项】：
1、蘸取式硅片制作方法，其特征在于，在高纯氩气环境中，将一面涂有脱膜剂的平板的相对面固定在固定器上，使平板的脱膜剂面平行蘸取液态硅，升起平板并快速冷却处理，在平板脱膜剂层外形成一层硅层；硅层与脱膜剂层脱离形成硅片。
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